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Complementary Metal Oxide Semiconductor Technology With and On Paper

Authors

  • Rodrigo Martins,

    Corresponding author
    1. Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal
    • Rodrigo Martins, Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal

      Arokia Nathan, London Center for Nanotechnology, University College London London, WC1H 0AH, UK.

      Elvira Fortunato, Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal

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  • Arokia Nathan,

    Corresponding author
    1. London Center for Nanotechnology, University College London London, WC1H 0AH, UK
    • Rodrigo Martins, Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal

      Arokia Nathan, London Center for Nanotechnology, University College London London, WC1H 0AH, UK.

      Elvira Fortunato, Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal

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  • Raquel Barros,

    1. Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal
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  • Luís Pereira,

    1. Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal
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  • Pedro Barquinha,

    1. Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal
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  • Nuno Correia,

    1. Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal
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  • Ricardo Costa,

    1. Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal
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  • Arman Ahnood,

    1. London Center for Nanotechnology, University College London London, WC1H 0AH, UK
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  • Isabel Ferreira,

    1. Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal
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  • Elvira Fortunato

    Corresponding author
    1. Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal
    • Rodrigo Martins, Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal

      Arokia Nathan, London Center for Nanotechnology, University College London London, WC1H 0AH, UK.

      Elvira Fortunato, Departamento de Ciência dos Materiais, CENIMAT/I3N, Faculdade de Ciências e Tecnologia, FCT, CEMOP/Uninova, Universidade Nova de Lisboa, 2829-516 Caparica, Portugal

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Abstract

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A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device is described. The device is based on n-(In-Ga-Zn-O) and p-type (SnOx) active oxide semiconductors and uses a transparent conductive oxide (In-Zn-O) as gate electrode that sits on a flexible, recyclable paper substrate that is simultaneously the substrate and the dielectric.

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