Über An- und Abklingen der Photoleitfähigkeit von CdS-Einkristallen

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Abstract

An sechs CdS-Einkristallen wurde das An- und Abklingen der Leitfähigkeit bei Belichtung mit Rechteckimpulsen verschiedener Intensität und Wellenlänge oszillographisch gemessen. Das Anklingen folgt überwiegend einer hyperbolischen Tangensfunktion. Die Abklingkurven setzen sich aus einem hyperbolischen Anfangsteil und einem exponentiellen Restverlauf zusammen. Mit wachsender Belichtungsintensität nimmt die Steilheit des Anklingens sowie der hyperbolische Anfangsteil des Abklingens zu, die Neigung des exponentiellen Restverlaufs erwies sich als von der Belichtungsintensität unabhängig. Abhängigkeiten von der Wellenlänge und der Saugspannung wurden nicht gefunden.

Die Ergebnisse lassen sich durch Annahme eines aus einem mono- und einem bimolekularen Vorgang zusammengesetzten Rekombinationsmechanismus quantitativ deuten. Für den monomolekularen Rekombinationskoeffizienten werden Werte zwischen 30 und 200 sec−1, für den bimolekularen Werte zwischen 0,5 · 10−12 und 1,2 · 10−12 cm3 sec−1 gemessen.

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