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Abstract

Mit Hilfe der Gisolfschen Theorie des Schrotrauschens und der Schottkyschen Randschichttheorie wird durch eine Mittelung über das Quadrat der Feldstärke eine Formel hergeleitet, die unter Zugrundelegung des Gisolfschen Mechanismus das Rauschen in der Randschicht und im Halbleiterinnern in einheitlicher Weise beschreibt.