Über das Randschichtrauschen von CdS-Einkristallen

Authors


  • Herrn Professor Dr. F. Möglich danke ich für viele fördernde Diskussionen, Herrn Dr. Faßbender für wertvolle Anregungen und experimentelle Hinweise.

Abstract

Es wird eine neue Theorie des Randschichtrauschens, die auf der Basis der Schottkyschen Randschichttheorie und der Gisolfschen Theorie des Schrotrauschens in Halbleitern entwickelt wurde, am CdS experimentell hinsichtlich der Spannungsabhängigkeit des Rauschstromes geprüft und der Nachweis erbracht, daß beim CdS der Rausch vorzüglich der Randschicht entstammt.

Ancillary