Über die Konstruktion von Elektronenbahnen in Potentialfeldern

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Abstract

Es wird die Genauigkeit der graphischen Konstruktion von Elektronenbahnen in Potentialfeldern untersucht. Der Untersuchung werden unterworfen:

Die Konstruktionsweise, deren Grundlage das Snelliussche Brechungsgesetz bildet, und die Konstruktionsweise, welche auf dem momentanen Krümmungsradius beruht. Es wird untersucht, unter welchen Einfallswinkeln, unter welchen Verhältnissen von der Eintritts- zur Austrittsgeschwindigkeit des Elektrons und unter welchen Neigungswinkeln der Potentiallinien Fehler zu erwarten sind, die die allgemeine Zeichengenauigkeit nicht überschreiten. Hierfür werden zahlenmäßig Daten angegeben; das Ergebnis zeigt weiter, daß die Konstruktion, bei der der momentane Krümmungsradius bestimmt wird, für von Hand aus zu zeichnende Elektronenbahnen keinen Vorteil bringt.

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