Einige Bemerkungen zur Gisolfschen Theorie der Elektronenschwankungserscheinungen von Halbleitern

Authors


Abstract

Es wird darauf hingewiesen, daß für den Vergleich der Gisolfschen Theorie mit dem Experiment die Einführung statistisch verteilter Lebensdauern der Leitungselektronen notwendig ist. Die Berechnung wird für den Fall eines unendlich ausgedehnten Kristalls und bei Berücksichtigung des Begrenzungseinflusses ausgeführt.

Es wird anschließend gezeigt, inwiefern der Einfluß der Feldverzerrung innerhalb der Randschicht berücksichtigt werden muß.

Die Ergebnisse werden für gebräuchliche Halbleiter abgeschätzt und in ihrer Größe mit dem Rauschen nach Nyquist verglichen.

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