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Abstract

Die einseitig ablaufende Diffusion von Silber in Tellur wurde an dünnen im Hochvakuum auf eine isolierende Unterlage aufgedampften Schichten im Temperaturbereich 0 bis 192° C untersucht. Besondere Beachtung fand dabei die Schichtdickenabhängigkeit des Anlaufvorganges sowie der Einfluß der Unterlage.