Hall-Effekt und Leitfähigkeit von Germanium-Aufdampfschichten

Authors


Abstract

Leitfähigkeits- und Hall-Effektmessungen an dünnen bei 10−5 Torr auf Glasträger bei 450 °C aufgedampften Ge-Schichten zeigen unabhängig vom Ausgangsmaterial ausnahmslos p-Leitung mit einer Trägerdichte von 1018 bis 1019 cm−3. Die Beweglichkeit der Defektelektronen ist um 1–2 Größenordnungen geringer als im einkristallinen Ausgangsmaterial. Der Hall-Koeffizient nimmt im Gegensatz zu den Ergebnissen an kompaktem p-Material an dünnen Schichten mit der magnetischen Feldstärke zu.

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