Theorie der elektrischen Leitfähigkeit von Ge und Si. I Die Elektron-Phonon-Matrixelemente

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Abstract

Die Elektron-Phonon-Matrixelemente werden mit dem Nordheim-Potential berechnet. In einer für tiefe Temperaturen gültigen Näherung findet man Elektronenstreuung an akustischen und optischen Phononen über Normalprozesse innerhalb eines Energietals (intravalley) und über Umklapp-Prozesse zwischen zwei Energietälern (intervalley). Es zeigt sich, daß bei Innertalstreuung die optischen Phononen in Si effektvoller sind als in Ge, während bei Zwischentalstreuung akustische und optische Phononen in Ge und Si gleichartige Matrixelemente liefern.

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