Theorie der elektrischen Leitfähigkeit in Si. II. Bereich mittelstarker Felder („warme Elektronen”)

Authors


Abstract

Unter Berücksichtigung der Kristallsymmetrie wird für die Beweglichkeit warmer Elektronen ein allgemeiner Ausdruck angegeben. Es zeigt sich, daß die Anisotropie von Richtung und Größe des angelegten Feldes abhängt.

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