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Abstract

Die dielektrischen Verluste von Silberhalogenidkristallen, die zweiwertige Verunreinigungen enthalten, wurden zwischen 20°K und etwa 150°K gemessen. Im Falle von Anionenzusätzen besteht der einfachste durch Überschußladungen erzeugte Dipol aus einem Silber-Zwischengitterion und einem zweiwertigen Fremdion. Die Aktivierungsenergie für die Umorientierung dieses Dipols hängt stark von der speziellen Art des Zusatzes und des Grundgitters ab. Anomale Lagen und Höhen des Verlustfaktormaximums können aus dem Bindungstyp im Dipol verstanden werden. Die Ionenleitfähigkeiten von AgBr und AgCl und die Beweglichkeiten von Zwischengitterionen und Leerstellen in AgBr und AgCl werden verglichen.