Halleffekt und Leitfähigkeit von Kristallen des Systems In2Te3−Sb2Te3 (Halbleitereigenschaften von Telluriden, XV)

Authors


Abstract

Im System In(2−x)SbxTe3 ließen sich Einkristalle nur mit der Zusammensetzung x = 2 bis 0,8 ziehen, sonst wurden polykristalline Proben verwendet. Bei allen polykristallinen Proben, außer der mit x = 1, weist das Vorzeichen der Thermokraft bei Zimmertemperatur auf p-Leitung hin. Die Probe mit x = 1 zeigt einen Umschlag von p- nach n-Leitung im zuletzt erstarrten Ende. Bei den gezogenen Kristallen ist nur bei der Probe mit x = 1 ein lokalisierter p-n-Übergang festzustellen. Die anderen gezogenen Kristalle (Spaltebenen vorhanden, im Schliffbild aber inhomogen) von x = 0,8 bis x = 1,3 zeigen p- und n-Leitung verstreut über Probenlänge- und Umfang.

Mit wachsender Temperatur ( − 190 bis + 400 °C) vergrößert sich die Leitfähigkeit und sinkt die Hallkonstante, bei Proben der Einwaage x = 0 bis 1, bei x = 1,8 bis 2 ist dies genau umgekehrt. Proben mit x = 1,2 bis 1,6 zeigen ein Übergangsverhalten. Von x = 0 an steigt die Ladungsträgerkonzentration. Die aus der Eigenleitungsgeraden ermittelte Breite der verbotenen Zone sinkt für x = 0 bis 1,6. Für x = 1,8 bis 2 wird der Abstand der Valenzbänder zu etwa 0,08 eV berechnet.

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