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Abstract

Unter Anwendung des Schatten-Effektes und der Resonanzreaktion 27Al(p, α) 24Mg an einkristallinen, dicken Al-Targets wurden für drei Resonanzenergien Ep(keV) die Lebensdauern τ(as) der entsprechenden Anregungszustände E (MeV) des Compoundkernes 28Si gemessen und die zugehörigen Breiten γ(eV) berechnet:

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Als Target dienten 〈110〉-orientierte Al-Einkristalle. Die Registierung der α-Teilchen erfolgte mit großflächigen Festkörperspurdetektoren. Aufgenommen wurden die Winkelverteilungen der α-Teilchen um zwei 〈110〉-Achsen des Al-Targets, die zur Einschußrichtung der Protonen unter 75° bzw. −165° einjustiert waren. Zur Auswertung wurden die Differenzen der Minimumausbeuten Δxmin = xmin (ϕ = 75°) - xmin (ϕ = −165°) und die Verhältnisse der Dip-Volumina R = ΩE(ϕ = 75°)/ΩN(ϕ = −165°) (bis 70% der Randomausbeute) herangezogen.

Lifetime Measurements on Resonant States of 28Si-Compound Nucleus using the Blocking-Effect

The crystal blocking technique has been used to measure the lifetimes of following three levels in the 28Si compound nuclei: 12,901 MeV, 2+; 12,974 MeV, 1 and 13,173 MeV, 3 excited in the 27Al(p, α)24Mg resonance reaction at Ep = 1365 keV, 1439 keV and 1647 keV, respectively. The 〈110〉 axial blocking effect in thick Al single crystals has been investigated. Two methods of extracting the lifetime, involving analytical calculations, are compared. The results obtained from both methods of analysis agree, the avarage values of the lifetimes are <1 as, (9±4) as and (18±5) as, respectively.