Photo-Induced Metastable Effects in Hydrogenated Amorphous Silicon (a-Si:H)

Authors


  • Herrn Prof. Dr. W. Walcher zum 75. Geburtstag gewidmet

Abstract

Light induced changes of electronic properties are studied in glow discharge deposited a-Si: H-films by ESR, field effect, DLTS and electronic transport. These effects are caused by silicon dangling bonds generated by recombination processes, which raise the density of states near midgap. The concomitant increase of potential fluctuations indicates that these defects are inhomogeneously distributed.

Abstract

Licht-induzierte metastabile Effekte in hydrogenisiertem amorphem Silizium (a-Si:H)

Es wird über Licht-induzierte Änderungen der elektronischen Eigenschaften von a-Si: H-Filmen berichtet. Dazu wurde der Einfluß längerer Belichtung auf ESR, Feldeffekt, DLTS und Transporteigenschaften untersucht. Die metastabilen Effekte entstehen durch freie Si-Bindungen, die bei der Rekombination gebildet werden und zu einer Erhöhung der Zustandsdichte nahe der Mitte der verbotenen Zone führen. Die dabei auftretende Verstärkung von Potentialfluktuationen deutet darauf hin, daß diese Defekte inhomogen verteilt sind.

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