On the Einstein Relation in Ternary Semiconductors in the Presence of Crossed Electric and Magnetic Fields

Authors


Abstract

We investigate theoretically the Einstein relation for the diffusivity-mobility ratio of the electrons in ternary semiconductors at low temperatures in the presence of crossed electric and quantizing magnetic fields on the basis of threeband Kane model. It is found, taking n-Hg1-xCdxTe as an example, that DMR shows an oscillatory magnetic field dependence. Besides, the DMR increase both with increasing electron concentration and decreasing alloy composition respectively.

Abstract

Berechnung der Einstein-Relation in ternären Halbleitern in Gegenwart gekreuzter elektrischer und magnetischer Felder

Die Einstein-Relation für Elektronen in ternären Halbleitern bei tiefen Temperaturen und Wirkung gekreuzter elektrischer und quantisierender, magnetischer Felder wird auf der Basis des Drei-Band-Kane-Modells untersucht. Es wird mit den Parametern des System-n-Hg1-xCdxTe gerechnet. Das Verhältnis aus Diffusionskonstante und Beweglichkeit zeigt eine oszillierende Abhängigkeit vom Magnetfeld. Es wächst mit der Elektronenkonzentration und ist von der Konzentration abhängig.

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