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Abstract

Surface Photovoltage Spectroscopy (SPS) technique has been used to detect the surface states of ZnSe (110) surfaces. Aqueous electrolyte/ZnSe junction has been electrochemically investigated in dark and under illumination. The effect of surface states on the kinetics of charge transfer through the semiconductor-electrolyte (S/E) junction has been discussed. The low leakage and photocurrents measured by the application of D.C. bias were referred to the blocking nature of S/E interface, in which the localized and induced surface states play an important role.

Einfluß der Oberflächenzustände auf das elektrochemische Verhalten von n-ZnSe-Einkristallphotoelektroden

Oberflächenfotospannungsspektroskopie wurde benutzt, um die Zustände auf ZnSe-(110)-Oberflächen aufzuweisen. Der Kontakt eines wäßrigen Elektrolyten und ZnSe wurde im Dunkeln und unter Beleuchtung elektrochemisch untersucht. Der Effekt der Oberflächenzustände auf die Kinetik der Ladungsträger beim Durchgang durch die Fläche zwischen Halbleiter und Elektrolyt wird diskutiert. Die bei angelegter Gleichspannung gemessenen, kleinen Leck- und Fotoströme werden auf die Halbleiter/Elektrolytgrenzschicht zurückgeführt, in der lokalisierte und induzierte Oberflächenzustände eine große Rolle spielen.