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Abstract

An alternative interpretation is offered to explain a photoconductivity, rising exponentially with time under constant illumination, which has been detected in semiinsulating GaAs. Spatial inhomogeneities, caused by nonuniform defect density, present potential barriers to current flow. Illumination neutralizes the space charge, thus reduces these barriers, hence increases current at constant bias. Local electric fields consequently vary in time, which may establish polarization effects and lifetime discontinuities via exciton dissociation.

Zeitabhängige Photoleitfähigkeit im halbisolierendem Gallium-Arsenid

Zur Erklärung der bei konstanter Beleuchtung exponentiell mit der Zeit wachsenden Photoleitfähigkeit, wie sie an GaAs festgestellt wurde, wird eine alternative Interpretation angeboten. Durch ungleichförmige Defektdichte hervorgerufene Inhomogenitäten stellen Potentialbarrieren für den Stromfluß dar. Beleuchtung neutralisiert die Raumladung, reduziert so diese Barrieren und erhöht den Stromfluß bei konstanter Vorspannung. Lokale elektrische Felder ändern sich folglich mit der Zeit, was zu Polarisationseffekten und Lebensdauerdiskontinuitäten durch Excitonendissoziation führen kann.