Building Blocks for n-Type Organic Electronics: Regiochemically Modulated Inversion of Majority Carrier Sign in Perfluoroarene-Modified Polythiophene Semiconductors

Authors


  • We thank DARPA (N00421-98-1187), ONR (N00014-02-1-0909), and the NSF-MRSEC program through the Northwestern Materials Research Center (DMR-0076097) for support of this research.

Abstract

original image

Der Einfluss von Perfluoraren-Gruppen auf die Moleküleigenschaften wurde anhand einer neuen Familie modifizierter leitfähiger Thiophene 13 für die Verwendung in Dünnfilmtransistoren untersucht. 1 ist ein n-Halbleiter mit einer Mobilität von ca. 0.1 cm2 V−1 s−1, 2 und 3 sind p-Halbleiter. Die Halbleitungseigenschaften sind demnach nicht nur von den HOMO- und LUMO-Energien in Lösungen und Filmen abhängig.

Ancillary