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Keywords:

  • Atomlagenabscheidung;
  • Langmuir-Blodgett-Filme;
  • Nanostrukturen;
  • Organische Transistoren;
  • Siliciumoxid

Abstract

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Eine neue Generation von Plastiktransistoren aus leichten, flexiblen organischen Materialien erfordert neue Fabrikationsmethoden auf Basis lösungschemischer Prozesse bei niedrigen Temperaturen, kombiniert mit einer präzisen Kontrolle der Bauteilabmessungen im nm-Bereich. Ultradünne SiO-Filme als Gate-Dielektrika in diesen Transistoren wurden durch einen schichtweisen Abscheidungs-/Oxidationsprozess aus Filmen einer Polymervorstufe hergestellt.