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Raumtemperaturwachstum von Siliciumoxid-Nanofilmen: neue Chancen für die Plastikelektronik

Authors


Abstract

Eine neue Generation von Plastiktransistoren aus leichten, flexiblen organischen Materialien erfordert neue Fabrikationsmethoden auf Basis lösungschemischer Prozesse bei niedrigen Temperaturen, kombiniert mit einer präzisen Kontrolle der Bauteilabmessungen im nm-Bereich. Ultradünne SiO-Filme als Gate-Dielektrika in diesen Transistoren wurden durch einen schichtweisen Abscheidungs-/Oxidationsprozess aus Filmen einer Polymervorstufe hergestellt.

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