Innentitelbild: Surface Passivation and Transfer Doping of Silicon Nanowires (Angew. Chem. 52/2009)

Authors


Abstract

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Das große Oberfläche-Volumen-Verhältnis von Nanomaterialien könnte ein effizientes Dotieren durch Oberflächenpassivierung und Adsorption erleichtern. In der Zuschrift auf S. 10 080 ff. beschreiben R. Q. Zhang, S. T. Lee et al. die Oberflächenpassivierung und Transferdotierung in Siliciumnanodrähten (SiNWs, siehe Bild) durch Absättigung der Oberfläche mit Wasserstoffatomen und Adsorption von Ammoniakmolekülen – eine Alternative zum üblichen Volumendotieren, um die Leitfähigkeit von SiNWs oder anderen Nanomaterialien zu modulieren.

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