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Electrically Addressable Multistate Volatile Memory with Flip-Flop and Flip-Flap-Flop Logic Circuits on a Solid Support

Authors


  • This research was supported by the Helen and Martin Kimmel Center for Molecular Design, the Yeda-Sela Center for Basic Research, and the Israel Science Foundation (ISF). J.C. thanks the FP7 program for a Marie Curie Fellowship.

Abstract

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Flip-Flops: Auf der Grundlage elektrisch ansprechbarer Os2+-basierter Mehrfachschichten wurde ein mehrwertiger Arbeitsspeicher verwirklicht. Die kontrollierbaren optischen Eigenschaften der Mehrfachschichten ermöglichen den Aufbau von Speichereinheiten, die abhängig von der elektrischen Eingabe bis zu fünf verschiedene Zustände speichern können (siehe Bild). Die Speicheroperationen können durch sequenzielle, zu Flip-Flop-und Flip-Flap-Flop-Funktionseinheiten äquivalente Logikschaltkreise dargestellt werden.

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