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Keywords:

  • Ladungseinfang;
  • Photoschalten;
  • Siliciumnanodrähte;
  • Titandioxid
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An einer Schnittstelle zwischen Halbleiter und Umgebung sind freihängende Siliciumnanodrähte (SiNWs) in direktem Kontakt mit TiO2-Quantenpunkten, deren Photoaktivität mit der intrinsischen Photoempfindlichkeit der p-Siliciumnanodrähte überlagert. Durch Ausbalancieren der konkurrierenden Mechanismen können bemerkenswerte Photoschaltungs- und starke Gleichrichtungseffekte in einer einzigen Funktionseinheit auf SiNW-Basis realisiert werden.