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Keywords:

  • Dotieren;
  • Halbleiterplasmonik;
  • Nanodrähte;
  • Oberflächenplasmonenresonanzen;
  • Silicium
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Lokalisierte Oberflächenplasmonenresonanzen können in dotierten Siliciumnanodrähten durch die Absorption von Licht im mittleren Infrarot erzeugt werden. In ihrer Zuschrift auf S. 8237 ff. stellen M. A Filler und L.-W. Chou eine Methode vor, mit der mehrere, axial angeordnete, dotierte Regionen in einzelne Siliciumnanodrähte eingebaut werden können. Der Ansatz verspricht neue Anwendungsmöglichkeiten für den häufigsten Halbleiter in der Katalyse, molekularen Erkennung und Energiegewinnung.