Dépôt chimique CVD de silicium dopé in situ au phosphore. Partie 2: Analyse théorique et modélisation

Authors


Abstract

La modélisation du comportement d'un réacteur de CVD permet d'une part de mieux comprendre les mécanismes complexes impliqués et d'autre part de déterminer les conditions permettant de réaliser des dépǒts conformes aux spécifications requises industriellement. Cette démarche est appliquée au cas du dépǒt de silicium polycristallin dopé in situ au phosphore. Elle a permis l'élaboration d'un modèle représentatif de l'opération de dépǒt qui prédit correctement les surépaisseurs de dépǒt dues au silylène. Le contrǒle de l'opération de dépǒt résulte principalement de la concentration en phosphine d'alimentation et de la géométrie de la zone d'entrée où se forme le silylène.

Abstract

The behaviour modelling of a CVD reactor is useful to better understand the involved complex mechanisms and determine the conditions required for the fabrication of depositions according to industrial standards. This approach was applied to the deposition of polycrystalline silicon doped in situ with phosphor. A model was developed to represent the deposition process which predicts correctly the excess of deposition thickness caused by silylene. The control of the deposition operation is mainly governed by the feed phosphine concentration and the inlet geometry where silylene is formed.

Ancillary