Greffage de molécules à la surface du silicium par voie électrochimique

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Abstract

La surface hydrogénée du silicium possède des propriétés remarquables, mais une stabilité à l'oxydation insuffisante. Pour y remédier, plusieurs groupes organiques ont été substitués à l'hydrogène de surface. Ces greffages peuvent se faire chimiquement en plusieurs étapes, mais la voie électrochimique permet des réactions directes à partir de la surface hydrogénée. On peut ainsi méthoxyler partiellement la surface du silicium poreux par dissolution anodique contrôlée, mais surtout méthyler sa surface de manière non destructive, avec un rendement de 80% limité seulement par l'encombrement stérique. La surface méthylée du silicium poreux possède une stabilité accrue d'un ordre de grandeur.

Abstract

The hydrogentated surface of silicon exhibits remarkable properties, but poor resistance to oxidation. To improve its stability, surface hydrogen has been replaced by several organic groups. Such grafting can be carried out chemically by a multi-step reaction scheme. However, an electrochemical approach allows direct reaction with the hydrogenated surface. The porous-silicon surface has been partially methoxylated by a controlled anodic dissolution. If has also been methylated using a non-destructive anodic process, with a yield of 80%, limited only by steric hindrance. The methylated surface of porous silicon exhibits a stability against oxidation increased by an order of magnitude.

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