SEARCH

SEARCH BY CITATION

Abstract

The conductivity of pure and doped (Mo, Ti) V2O5 single crystals is measured along the three crystallographic directions in the temperature range 90 to 350° K. For T < 140° K, it is shown that conduction can be considered as a variable range hopping between defect levels, situated in the neighbourhood of the Fermi-level. From combined de and ac measurements, the concentration of localized states is found to be about 1019 cm−3. In the intermediate temperature range 140° K < T < 350° K, the observed anisotropy is explained assuming that conduction is due to hopping along vanadium chains. Attention is drawn to the influence of random potential fluctuations.

Es wurde die Leitfähigkeit von reinen und dotierten (Mo, Ti) V2O5-Einkristallen längs dreier kristallographischer Richtungen im Temperaturbereich von 90 bis 350° K gemessen. Für T < 140° K wird gezeigt, daß die Leitfähigkeit betrachtet werden kann als ein Hoppingprozeß in einem variablen Bereich zwischen Störstellenniveaus, die in der Nähe des Ferminiveaus liegen. Aus kombinierten Gleich- und Wechselstrommessungen wurde die Konzentration der lokalisierten Zustände zu etwa 1019 cm−3 gefunden. Im mittleren Temperaturbereich 140° K < T < 350° K läßt sich die beobachtete Anisotropie durch die Annahme erklären, daß die Leitfähigkeit durch Hopping längs Vanadiumketten verursacht wird. Insbesondere wird der Einfluß von statistischen Potentialfluktuationen beobachtet.