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Abstract

The role of electron concentration in the formation and stabilisation of inversion anti-phase domain (IAPD) arrays in γ-brass type phases is determined by a study of γ-phases in the Ni-Zn, Co-Zn, and Fe[BOND]Zn systems. IAPD arrays form in Ni-Zn alloys in the range Ni-75 at%Zn to Ni-80 at%Zn but are not observed in the Co-Zn and Fe[BOND]Zn γ-phases. These results together with previous results for γ-brass show that IAPD structures form only when e/a < 1.60. The stabilisation mechanism developed originally by Sato and Toth to explain the existence of long period structures in close-packed phases, involving the interaction of the Fermi surface with split Brillouin zones, provides good agreement between the observed and calculated variation of the period of the planar IAPD structure with electron concentration.

Die Rolle der Elektronenkonzentration bei der Bildung und Stabilisierung von Inversions-Anti-phasendomänenanordnungen (IAPD) in Phasen vom γ-Messingtyp wird in einer Untersuchung der γ-Phasen in Ni-Zn-, Co-Zn- und Fe[BOND]Zn-Systemen untersucht. IAPD-Anordnungen bilden sich in Ni-Zn-Legierungen im Bereich Ni-75 At%Zn bis Ni-80 At%Zn, werden jedoch nicht in den γ-Phasen von Co-Zn and Fe[BOND]Zn beobachtet. Diese Ergebnisse zusammen mit früheren Ergebnissen für γ-Messing zeigen, daß IAPD-Strukturen sich nur bilden, wenn e/a < 1,60 ist. Der Stabilisie-rungsmechanismus, der ursprünglich von Sato und Toth für die Erklärung der Existenz lang-periodischer Strukturen in dichtgepackten Strukturen entwickelt wurde, wobei die Wechselwirkung der Fermifläche mit aufgespaltenen Brillouin-Zonen eingeschlossen ist, liefert gute Übereinstim-mung zwischen der beobachteten und der berechneten Anderung der Periode der ebenen IAPD-Struktur mit der Elektronenkonzentration.