Recombination currents in a p–n heterojunction diode

Authors


  • Work supported by the U.S. Energy Research and Development Administration.

  • Pasadena, California 91125, USA.

Abstract

The effect of carrier recombination in the depletion region on the I-U characteristics of a hetero-junction diode is considered. It is found, that recombination currents affect the I-U characteristics of symmetrically doped heterojunction diodes with large energy band offsets for the majority carrier type in the large gap material differently than heterojunction diodes with a large band offset for the majority carrier type in the small gap material. The two cases are illustrated with numerical calculations for p-GaAs on n-AIAs and n-GaAs on p-AIAs.

Abstract

Es wird der Einfluß der Ladungsträgerrekombination in der Verarmungsrandschicht auf die I-U-Charakteristiken einer Heterojunction-Diode betrachtet. Es wird gefunden, daß die Rekombinationsströme die I-U-Charakteristiken von symmetrisch dotierten Heterojunction-Dioden mit großen Energiebandabweichungen für die Majoritätsladungsträger in Materialien mit großem Bandabstand anders als in Heterojunction-Dioden mit großen Energiebandabweichungen für die Majoritätsladungsträger in Materialien mit geringem Bandabstand beeinflussen. Die beiden Fälle werden mit numerischen Berechnungen für p-GaAs auf n-AlAs und n-GaAs auf p-AlAs illustriert.

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