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Abstract

Transport properties of undoped AgTlTe single crystals and sintered samples, in the range 125 to 450 K, are reported. The hole effective mass, the density of shallow and deep acceptors, and the ionisation energy of the deep center are calculated using conductivity, Hall effect, and thermopower measurements. The optimal thermoelectric figure of merit, which may be obtained by optimal doping, largely exceeds that of the best known thermoelements near room temperature.

Es werden die Transporteigenschaften von undotierten AgTlTe-Einkristallen und Sinterproben im Bereich von 125 bis 450 K untersucht. Die effektive Löchermasse, die Dichte der flachen und tiefen Akzeptoren sowie die Ionisierungsenergie der tiefen Zentren werden aus den Messungen der Leitfähigkeit, des Halleffekts und der Thermospannung berechnet. Der optimale thermoelektrische Wirkungsgrad, der durch optimale Dotierung erzielt werden kann, übertrifft weit den der besten bekannten Thermoelemente bei Zimmertemperatur.