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Abstract

Alternating current driven thin film electroluminescence displays (ac TFD) with an MISIM (metal-insulator-semiconductor-insulator-metal) structure haGe gained much interest by technical and commercial success on the one and novel physical features on the other hand. Because of very recent progress the basics appear now well-established: tunnel emission from interface states, loss-free acceleration, impact excitation and mainly radiative deexcitation of dopants, carrier multiplication, and capture by interface states are the six main processes involved. Experimental evidence can be given for most of them. Afirst time discussion, of the details of time behaviour gives further support to the simple model but clearly points to a necessary further sophistication by taking into account operational inhomogeneities.

Wechselspannungs-Elektrolumineszenzdünnfilmdisplays (ac TFD) mit MISIM-Struktur (metal-insulator-semiconductor-insulator-metal) haben durch den technologischen and kommerziellen Erfolg und interessante physikalische Phänomene viel Interesse erregt. Auf Grundlage kürzlich gewonnener Einsichten scheinen die grundlegenden Vorgange nun mehr gut verstanden zu sein : Tunnelemission aus Grenzflächenzuständen, verlustlose Beschleunigung, Stoßanregung der Dotanden und überwiegend strahlende Rückkehr in den Grundznstand, Trägermultiplikation und Einfang durch Grenzflächenzustände sind die sechs Grundprozesse in diesen Strukturen. Für die meisten Prozesse sind überzengende experimentelle Hinweise vorhanden. Eine erstmals geführte Diskussion des Zeitverhsltens gibt einerseits eine weitere Begründung des einfachen Modells, zeigt aber andererseits anch die Notwendigkeit weiterer Verfeincrung durch die Berücksichtigung von ‚Betriebsinhomogenitäten’.