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Abstract

Recombination processes are studied in non-stoichiometric TlGaSe2 crystals at a temperature of 77 K. It is established that the recombination of majority carriers in TlGaSe2 takes place along two channels, a fast one (s-) and a slow one (r-) with the participation of traps. The location depths (1.2 and 0.95 eV from the bottom of the c-band), the electron filling capacity in the dark (1.04 × 1013 cm−3), and the concentration (1014 cm−3) of r-centres are determined. The hole-trapping probability ratio Cps/Cpr = 40. The typical photocurrent relaxation times amount to τS = 10−5 to 10−4 s and τr = 10−3 to 10−2 s. A common picture of recombination processes in TlGaSe2 is plotted on the basis of the data obtained.

Rekombinationsprozesse bei 77 K werden in nichtstöchiometrischen TlGaSe2-Kristallen unter-sucht. Es wird festgestellt, daß die Rekombination von Majoritätsträgern in TlGaSe2 über zwei Kanäle erfolgt, einem schnellen (s-) und einem langsamen (r-) unter Teilnahme von Haftstellen. Die Tiefen (1,2 und 0,95 eV unterhalb des Randes des c-Bandes), die Elektronenfüllungskapazität im Dunklen (1,04 × 1013 cm−3) und die Konzentration (1014 cm−3) der r-Zentren werden bestimmt. Das Löcheranhaftwahrscheinlichkeitsverhältnis Cps/Cpr = 40. Die typischen Photostromrelaxationszeiten betragen τs = 10−5 bis 10−4 s und τr = 10−3 bis 10−2 s. Es wird ein übliches Modell der Rekombinationsprozesse in TlGaSe2 auf der Grundlage der erhaltenen Daten angegeben.