Optical Properties of β-Bi2O3 Thin Films

Authors


  • Cochin 682022, India.

Abstract

Optical properties of β-Bi2O3 films prepared by activated reactive evaporation are studied from 0.5 to 3.5 eV. It is shown that β-Bi2O3 is an indirect band gap semiconductor with a band gap of (1.74 ± 0.5) eV and the optical transition leading to this is an allowed one. The direct gap of β-Bi2O3 is 2.6 eV.

Abstract

Zwischen 0,5 und 3,5 eV werden die optischen Eigenschaften von β-Bi2O3-Schichten aus aktivierter reaktiver Aufdampfung untersucht. Es wird gezeigt, daß β-Bi2O3 ein Halbleiter mit indirekter Bandlücke ist mit einem Gap von (1,74 ± 0,5) eV und der dazu führende optische Übergang erlaubt ist. Das direkte Gap von β-Bi2O3 beträgt 2,6 eV.

Ancillary