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Abstract

Current-voltage (I–U) characteristics of MOS structures on polycrystalline silicon are investigated. A model based on the carrier transport through the traps in the oxide is described to explain the I–U characteristics.

Es werden Strom-Spannungs(I–U)-Charakteristiken von MOS-Strukturen auf polykristallinem Silizium untersucht. Ein Modell zur Erklärung der I–U-Charakteristiken wird beschrieben, das auf dem Ladungstransport über Oxidtraps beruht.