Resonant photoemission shake-up satellites from semiconductors with shallow 3d and 4d core levels

Authors

  • Andreas Klein,

    1. Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Material- und Geowissenschaften, Fachgebiet Oberflächenforschung, Petersenstrasse 32, 64287 Darmstadt, Germany
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  • Bastian Siepchen,

    1. Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Material- und Geowissenschaften, Fachgebiet Oberflächenforschung, Petersenstrasse 32, 64287 Darmstadt, Germany
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  • Bettina Späth,

    1. Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Material- und Geowissenschaften, Fachgebiet Oberflächenforschung, Petersenstrasse 32, 64287 Darmstadt, Germany
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  • Eric Mankel,

    1. Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Material- und Geowissenschaften, Fachgebiet Oberflächenforschung, Petersenstrasse 32, 64287 Darmstadt, Germany
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  • Thomas Mayer,

    1. Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Material- und Geowissenschaften, Fachgebiet Oberflächenforschung, Petersenstrasse 32, 64287 Darmstadt, Germany
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  • Wolfram Jaegermann

    1. Technische Universität Darmstadt, Fachbereich Material- und Geowissenschaften, Fachgebiet Oberflächenforschung, Petersenstrasse 32, 64287 Darmstadt, Germany
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  • Dedicated to Dieter Schmeißer on the occasion of his 60th birthday.

Abstract

Photoemission spectra from shallow 3d and 4d levels of ZnTe, ZnSe, CdTe, CdS, and tin-doped In2O3 (ITO) using synchrotron radiation from the BESSY II storage ring are presented. All compounds show pronounced resonant shake-up satellites at the excitation threshold of the 3p and 4p-levels. The resonance intensity profiles are compared to 3p and 4p photoemission. Electron correlation energies U of 10.15, 10.75, 6.15, and 7.3 eV are derived for ZnTe, ZnSe, CdTe, and ITO, respectively.

Ancillary