physica status solidi (b)
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Original Paper
Band Structure and Reflectivity of GaN
Abstract
The E ⊥ c reflectivity has been measured up to 10 eV for hexagonal, single-crystal GaN. The band structure and reflectivity have been computed by the empirical pseudopotential method and used to identify the observed spectral peaks.
Abstract
La réflectivité E ⊥ c d'un monocristal de GaN hexagonal a été measureé jusqu à 10 eV. La structure de bande et la réflectivité ont été calculées par la méthode du pseudopotentiel empirique et ont été utilizeés pour identifier les crêtes du spectre observé.