Tight-binding calculations of the valence bands of diamond and zincblende crystals

Authors

  • D. J. Chadi,

    1. Department of Physics, University of California, and Inorganic Materials Research Division, Lawrence Berkeley Laboratory, Berkeley, California
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  • M. L. Cohen

    1. Department of Physics, University of California, and Inorganic Materials Research Division, Lawrence Berkeley Laboratory, Berkeley, California
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Abstract

Using the tight-binding method, the valence band structures and densities of states for C, Si, Ge, GaAs, and ZnSe are calculated. Very good agreement is obtained with other calculations when all nearest- and one second-nearest-neighbor interactions are included. The effects of the various interactions on the density of states are discussed.

Abstract

Mit der „tight-binding”-Methode werden die Valenzbandstrukturen und Zustandsdichten für C, Si, Ge, GaAs und ZnSe berechnet. Sehr gute Übereinstimmung mit anderen Rechnungen wird erreicht, wenn alle Wechselwirkungen mit nächsten und nur eine Wechselwirkung mit zweitnächsten Nachbarn berücksichtigt werden. Die Einflüsse verschiedener Wechselwirkungen auf die Zustandsdichte werden diskutiert.

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