The intrinsic recombination processes are investigated in highly excited II–VI compound semiconductors which involve the following scattering processes: the exciton-exciton scattering (P2 line), the exciton-electron or -hole scattering, and the sattering of an exciton by emission of a longitudinal optical phonon. From the stationary rate equations the laser threshold and the maxima of the spontaneous and stimulated emission for the various processes are determined. Experimental investigations of these emission processes are carried out for CdS platelets, ZnO and ZnTe crystals. Good agreement between experimental results and theoretical predictions for the temperature dependences of the laser thresholds, and of the emission maxima is obtained.

In stark angeregten II–VI-Halbleitern werden die intrinsischen Rekombinationsprozesse untersucht, denen folgende Streuprozesse zu Grunde liegen: die Exziton-Exziton-Streuung (P2-Linie), die Exziton-Elektron oder -Loch-Streuung und die Streuung eines Exzitions unter Emission eines longitudinalen optischen Phonons. Aus den stationären Bilanzgleichungen werden die Laserschwelle und die Maxima der spontanen und stimulierten Emission der verschiedenen Prozesse bestimmt. Experimentelle Untersuchungen dieser Emissionsprozesse an CdS-Plättchen, ZnO- und ZnTe-Kristallen werden durchgeführt. Gute Übereinstimmung zwischen Experiment und Theorie wird für die Temperaturabhängigkeiten der Laserschwellen und der Emissionsmaxima erhalten.