physica status solidi (b)
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Original Paper
Conduction Band Edge Charge Densities in HgxCd1−xTe
31100 Es-sénia. Algeria.
Abstract
On the basis of the charge densities at the conduction band edge Xc the effect of interstitial impurities on the modification of the band structure of the system HgxCd1−xTe is explained. The inversion of the symmetry state at Xc in relation to x bears information on the semimetal-semiconductor transition.
Abstract
Auf der Grundlage der Ladungsdichten an der Leitungsbandkante Xc wird der Einfluß von Zwischengitterstörstellen auf die Modifizierung der Bandstruktur im HgxCd1−xTe -System erklärt. Die Inversion des Symmetriezustands bei Xc bezüglich x ergibt Informationen über den Halbmetall-Halbleiter-Übergang.