Growth and stacking fault reduction in semi-polar GaN films on planar Si(112) and Si(113)

Authors

  • Roghaiyeh Ravash,

    Corresponding author
    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
    • Phone: +49 391 67 12424, Fax: +49 391 67 11130
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  • Peter Veit,

    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
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  • Mathias Müller,

    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
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  • Gordon Schmidt,

    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
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  • Anja Dempewolf,

    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
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  • Thomas Hempel,

    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
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  • Jürgen Bläsing,

    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
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  • Frank Bertram,

    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
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  • Armin Dadgar,

    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
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  • Jürgen Christen,

    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
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  • Alois Krost

    1. Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Institut für Experimentelle Physik, Fakultät für Naturwissenschaften, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, Germany
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Abstract

We report on metal organic vapor phase epitaxy of semi-polar growth of nearly (1equation image06) oriented GaN films on Si(112) and (1equation image05) and (1equation image04) GaN on Si(113). We analyze the GaN crystallites by field emission-scanning electron microscopy (FE-SEM), scanning transmission electron microscopy (STEM), photoluminescence (PL), and cathodoluminescence (CL). A correlation between optical properties and microstructure is presented. Our studies reveal a significant reduction of basal plane stacking faults (BSFs) in semi-polar GaN grown on planar Si(112) by applying a low temperature (LT) AlN interlayer. We find that the insertion of the LT-AlN interlayer can eliminate the stacking faults in the upper GaN layer, when the LT-AlN interlayer is inserted on a smooth GaN buffer. The LT-AlN interlayer results in lattice relaxation due to misfit dislocation formation at the GaN/LT–AlN interface. In comparison, GaN grown on Si(113) with same growth conditions and a rough GaN surface does not show any BSF reduction while it is reduced for a smooth GaN layer (© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

Ancillary