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Abstract

Durch Umsetzung der binären Komponenten bei höheren Temperaturen wurden die Verbindungen CuAlS2, CuAlSe2, CuAlTe2, CuGaS2, CuGaSe2, CuGaTe2, CuInS2, CuInSe2, CuInTe2, CuTlS2, CuTlSe2, AgAlS2, AgAlSe2, AgAlTe2, AgGaS2, AgGaSe2, AgGaTe2, AgInS2, AgInSe2, und AgInTe2 erhalten. Sämtliche Verbindungen kristallisieren im Chalkopyrittyp (CuFeS2). CuTlSe2 und AgInS2 sind dimorph. Beim AgInS2 geht die Chalkopyritstruktur oberhalb 600° C in Wurtzit- bzw. in eine Wurtzit-ähnliche Struktur über. CuTlSe2 kristallisiert unterhalb 250° C im Chalkopyritgitter. Die Struktur der bei höheren Temperaturen stabilen Modifikation konnte bisher nicht ermittelt werden.

Die Bildung der Chalkopyritstruktur wird bei diesen Verbindungen mit der großen Neigung der Nebengruppenelements zur Ausbildung von Atombindungen mit tetraedrischer Koordination gegenüber den Chalkogenen erklärt.